
碳化硅密封件
- 中博芯获专利:创新MOCVD技术修复SiC涂层
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近日,北京中博芯半导体科技有限公司在科技界引起了轰动,获得了国家知识产权局授予的全新专利,题为“利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法”。这个专利的授权公告号为CN116288252B,申请日期足足可以追溯到2023年2月,证明了公司在技术创新上不断努力的决心。
成立于2020年的北京中博芯,位于科技蒸蒸日上的北京市,是一家主要是做科技推广与应用服务的企业。公司全额注册资本达到13090.44万元人民币,展现了其雄厚的经济基础和发展的潜在能力。通过天眼查的分析,公众也能看到,中博芯在寻求项目合作方面表现活跃,参与了多达三次的招投标项目。
不仅如此,该公司在知识产权方面的布局也颇具规模,拥有专利信息31条以及两条商标信息。此外,通过五个行政许可的获取,我们判断出中博芯正在为未来的市场之间的竞争做好全方位的准备。
回到专利本身,利用MOCVD(有机金属化学气相沉积)技术修复SiC(碳化硅)涂层的创新方法,不仅为半导体行业提供了新思路,也为极大提升石墨盘的寿命和稳定能力打下了基础。这项突破将有利于推动半导体材料在更广泛应用领域中的发展。
可以预见,未来这项技术可能在提升整个半导体行业的效率和成本节约方面发挥及其重要的作用。中博芯的成功,不仅令人对其未来的发展抱有期待,也为整个行业注入了一剂强心针。随技术的慢慢的提升,我们有理由相信,这只是一个开始,更多科学技术创新及其应用将在不久的将来一一呈现!返回搜狐,查看更加多