近期，燕东微发布自主研发的氮化硅硅光工艺平台PDK（Process Design Kit）——YD_SiPh_N300，标志着公司在硅光技术领域取得又一重大突破，展示公司在硅基光电子领域的技术进步，逐步提升了公司在硅基光电子市场的竞争力。

  本次发布的氮化硅硅光PDK是基于低压化学气相淀积（LPCVD）氮化硅材料，并通过复杂图形的光刻与刻蚀技术，实现波导传输损耗≤0.1dB/cm，达到了行业领先水平。PDK包含多模干涉仪（MMI）、交叉耦合器（Crossing）、定向耦合器（DC）、Y型分束器、微环调制器等多种关键器件，这些组件不仅增强了设计灵活性，还极大地简化了硅光芯片的设计流程，节省了硅光芯片的设计时间，提升了产品的可靠性和一致性，为用户更好的提供了一个功能丰富且高效的设计工具包。同时，利用这套PDK，用户能更加高效地完成复杂芯片系统的布局和设计工作，加速从原型设计到小批量生产的过渡，缩短产品上市时间，使用户能更快地响应市场变化。前期，YD_SiPh_N300已经提供给业内多家设计公司与科研院所试用，并基于用户的实际的需求和使用建议，进行了优化和改进，确保PDK更加贴近客户的真实需求，获得了用户的积极评价。

  YD_SiPh_N300的发布，进一步巩固提升了燕东微硅光量产工艺平台的竞争优势，将为导入面向大数据处理、人工智能以及未来移动通信技术等领域的产品提供更强大的基础支持。燕东微将秉持开放合作理念，抢抓AI产业加快速度进行发展机遇，聚焦硅光工艺研发技术，不断加大技术创新投入，推进产业链合作伙伴创造更大价值。

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