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晶合集成请求芯片上钝化层裂缝的检测的新办法及芯片良率的确认办法专利可以检测出钝化层裂缝贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种缺点。
来源:行业资讯 添加时间:2024-09-08 10:09:17
金融界2024年7月3日音讯,天眼查知识产权信息数据显现,合肥晶合集成电路股份有限公司请求一项名为“芯片上钝化层裂缝的检测的新办法及芯片良率的确认办法“,揭露号CN6.3,请求日期为2024年5月。
专利摘要显现,本请求揭露芯片上钝化层裂缝的检测的新办法及芯片良率的确认办法,钝化层包含氮化硅层和与氮化硅层触摸的氧化硅层,氧化硅层还触摸芯片的金属层,检测的新办法包含:将芯片浸入加热的氢氧化钾溶液内,以使加热的氢氧化钾溶液在经过氮化硅层的情况下腐蚀氧化硅层而进入金属层;将芯片置于显微镜下调查金属层的色彩以确认钝化层是否有裂缝。本请求可以检测出钝化层裂缝贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种缺点。
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